NTZD5110NT1G
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NTZD5110NT1G，onsemi，资料核对中。24 小时内报价。
基本信息
| 型号 | NTZD5110NT1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
官方参数
| 漏源电压 | 60 V（第 1 页） |
|---|---|
| 栅源电压 | ±20 V（第 1 页） |
| 连续漏极电流(稳态) | 294 mA（第 1 页） |
| 最大漏极电流 | 310 mA（第 1 页） |
| 导通电阻(VGS=10 V) | 典型 1.19 Ω,最大 1.6 Ω (ID = 500 mA)（第 2 页） |
| 导通电阻(VGS=4.5 V) | 典型 1.33 Ω,最大 2.5 Ω (ID = 200 mA)（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 1.0 V ~ 2.5 V（第 2 页） |
| 体二极管正向压降 | 典型 0.8 V,最大 1.2 V (TJ = 25 °C)（第 2 页） |
| 工作结温和存储温度范围 | −55 to 150 °C（第 1 页） |
| 封装 | SOT-563 (Pb-Free)（第 4 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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