NTR2101PT1G

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NTR2101PT1G 是 onsemi 的分立器件,封装 SOT-23。24 小时内报价。

基本信息

型号NTR2101PT1G
制造商onsemi

官方参数

漏源电压−8.0 V(第 1 页)
栅源电压±8.0 V(第 1 页)
连续漏极电流−3.7 A(第 1 页)
导通电阻典型 39 mΩ,最大 52 mΩ (VGS = −4.5 V, ID = −3.5 A)(第 2 页)
导通电阻典型 79 mΩ,最大 120 mΩ (VGS = −1.8 V, ID = −2.0 A)(第 2 页)
栅极阈值电压−0.40 V ~ −1.0 V (VGS = VDS, ID = −250 µA)(第 2 页)
总栅极电荷典型 12 nC,最大 15 nC(第 2 页)
工作结温和存储温度范围−55 to 150 °C(第 1 页)
封装SOT−23 (Pb−Free)(第 1 页)

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