NTLTD7900ZR2G
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NTLTD7900ZR2G，onsemi，资料核对中。24 小时内报价。
基本信息
| 型号 | NTLTD7900ZR2G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
官方参数
| 漏源电压 | 20 V（第 1 页） |
|---|---|
| 栅源电压 | ±12 V（第 1 页） |
| 连续漏极电流 | 9.0 A (10 s); 6.0 A (steady state)（第 1 页） |
| 脉冲漏极电流 | 30 A (tp ≤ 10 μs)（第 1 页） |
| 导通电阻 (VGS=4.5 V) | 典型 21 mΩ, 最大 26 mΩ (ID = 6.5 A)（第 2 页） |
| 导通电阻 (VGS=2.5 V) | 典型 27 mΩ, 最大 31 mΩ (ID = 5.8 A)（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 最小 0.4 V, 典型 0.67 V, 最大 1.0 V（第 2 页） |
| 总栅极电荷 | 典型 12 nC, 最大 18 nC（第 2 页） |
| 工作结温及存储温度范围 | -55 to 150 °C（第 1 页） |
| 封装 | Micro8 LL (Pb-Free)（第 6 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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