NTHD4P02FT1G
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NTHD4P02FT1G 是 onsemi 的分立器件，封装 ChipFET。24 小时内报价。
基本信息
| 型号 | NTHD4P02FT1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
官方参数
| MOSFET 漏源电压 | −20 V（第 1 页） |
|---|---|
| 栅源电压 | ±12 V（第 1 页） |
| MOSFET 连续漏极电流 | −3.0 A（第 1 页） |
| MOSFET 导通电阻（典型） | −130 mΩ @ −4.5 V; 200 mΩ @ −2.5 V（第 1 页） |
| 肖特基反向直流阻断电压 | 20 V（第 1 页） |
| 肖特基平均整流正向电流 | 2.2 A (steady state); 3.0 A (t ≤ 5 s)（第 2 页） |
| 肖特基正向压降 | 典型 0.510 V，最大 0.575 V（第 3 页） |
| 栅极阈值电压 | 最小 −0.6 V，典型 −0.75 V，最大 −1.2 V（第 2 页） |
| 工作结温和存储温度 | −55 to 150 °C（第 1 页） |
| 封装 | ChipFET（第 1 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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