NTHD3101FT1G

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NTHD3101FT1G 是 onsemi 的分立器件,封装 ChipFET。24 小时内报价。

基本信息

型号NTHD3101FT1G
制造商onsemi

官方参数

漏源电压−20 V(第 1 页)
栅源电压±8.0 V(第 1 页)
连续漏极电流(稳态)−3.2 A(第 1 页)
导通电阻(典型)64 mΩ @ −4.5 V(第 1 页)
导通电阻(典型)85 mΩ @ −2.5 V(第 1 页)
肖特基反向电压20 V(第 1 页)
肖特基正向压降典型 0.510 V,最大 0.575 V (IF = 1.0 A)(第 3 页)
肖特基正向电流4.1 A(第 1 页)
工作结温和存储温度范围−55 to 150 °C(第 1 页)
封装ChipFET, CASE 1206A(第 1 页)

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