NCP5181DR2G
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NCP5181DR2G 是 onsemi 的模拟芯片，封装 SOIC。24 小时内报价。
基本信息
| 型号 | NCP5181DR2G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
官方参数
| 最高耐压范围 | up to 600 V（第 1 页） |
|---|---|
| 栅极驱动电源范围 | 10 V to 20 V（第 1 页） |
| 输出拉/灌电流 | 1.4 A / 2.2 A（第 1 页） |
| 封装 | SOIC−8（第 1 页） |
| 开通传输延迟 | 典型 100 ns，最大 170 ns（第 4 页） |
| 关断传输延迟 | 典型 100 ns，最大 170 ns（第 4 页） |
| VCC欠压启动阈值 | 最小 7.9 V，典型 8.9 V，最大 9.8 V（第 4 页） |
| 工作模式消耗电流 | 典型 4.5 mA，最大 6.5 mA（第 4 页） |
| 工作环境温度范围 | −40°C ~ 125°C（第 4 页） |
| 最高工作结温 | +150 °C（第 3 页） |
| 结到环境热阻(SO-8) | 178 °C/W（第 3 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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