MRF101BN
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MRF101BN 是 NXP 的射频芯片，封装 TO-220-3。24 小时内报价。
基本信息
| 型号 | MRF101BN |
|---|---|
| 制造商 | NXP |
官方参数
| 频率范围/连续波输出功率 | 1.8–250 MHz, 100 W CW（第 1 页） |
|---|---|
| 工作电压 | 50 Vdc（第 2 页） |
| 漏源电压 | –0.5, +133 Vdc（第 2 页） |
| 栅源电压 | –6.0, +10 Vdc（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 最小 1.7 V,典型 2.2 V,最大 2.7 V（第 2 页） |
| 结到壳热阻 | 1.1 °C/W（第 2 页） |
| 总功耗 | 182 W（第 2 页） |
| 壳工作温度范围 | –40 to +150 °C（第 2 页） |
| 工作结温范围 | –40 to +175 °C（第 2 页） |
| 输入电容 | 典型 149 pF（第 3 页） |
| 230 MHz 典型输出功率 | 115 W (Pulse, 100 µsec, 20% duty cycle)（第 3 页） |
| 封装 | TO-220-3L (Pin 1: Drain, Pin 2: Source, Pin 3: Gate)（第 3 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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