onsemi · 分立器件 · SOT-23

MMBF2201NT1G

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MMBF2201NT1G 是 onsemi 的分立器件(N沟道 MOSFET),封装 SOT-23。24 小时内报价。

基本信息

标准型号MMBF2201NT1G
制造商onsemi
类别分立器件 · N沟道 MOSFET
封装SOT-23

官方参数

漏源电压20 Vdc(第 1 页)
栅源电压(连续)± 20 Vdc(第 1 页)
连续漏极电流 (25°C)300 mAdc(第 1 页)
脉冲漏极电流750 mAdc(第 1 页)
导通电阻 (VGS=10 V)典型 0.75 Ω,最大 1.0 Ω(第 2 页)
导通电阻 (VGS=4.5 V)典型 1.0 Ω,最大 1.4 Ω(第 2 页)
栅极阈值电压最小 1.0 V,典型 1.7 V,最大 2.4 V(第 2 页)
总功耗150 mW(第 1 页)
工作及存储温度范围− 55 to 150 °C(第 1 页)
封装SOT−323 (SC−70)(第 1 页)

来源:原厂规格书(括号里是规格书页码) · 原厂规格书 ↗

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