Fairchild Semiconductor · 分立器件 · TO-220

HGTP7N60A4

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HGTP7N60A4 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件(IGBT 功率管),封装 TO-220。24 小时内报价。

基本信息

标准型号HGTP7N60A4
制造商Fairchild Semiconductor
类别分立器件 · IGBT 功率管
封装TO-220

官方参数

集电极-发射极耐压600 V(第 3 页)
连续集电极电流(25°C)34 A(第 3 页)
连续集电极电流(110°C)14 A(第 3 页)
集电极-发射极饱和压降典型 1.9 V,最大 2.7 V(第 3 页)
栅极-发射极阈值电压最小 4.5 V,典型 5.9 V,最大 7.0 V(第 3 页)
栅极-发射极连续电压±20 V(第 3 页)
总功耗125 W(第 3 页)
典型下降时间75 ns(第 2 页)
结到壳热阻最大 1.0 °C/W(第 4 页)
工作和存储结温范围-55 to 150 °C(第 3 页)
封装TO-220AB(第 2 页)

来源:原厂规格书(括号里是规格书页码) · 原厂规格书 ↗

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