Fairchild Semiconductor · 分立器件 · TO-247
HGTG11N120CND
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HGTG11N120CND 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件（IGBT 功率管），封装 TO-247。24 小时内报价。
基本信息
| 标准型号 | HGTG11N120CND |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 类别 | 分立器件 · IGBT 功率管 |
| 封装 | TO-247 |
官方参数
| 集电极-发射极耐压 | 1200 V（第 2 页） |
|---|---|
| 连续集电极电流(25 °C) | 43 A（第 2 页） |
| 连续集电极电流(110 °C) | 22 A（第 2 页） |
| 脉冲集电极电流 | 80 A（第 2 页） |
| 栅射极电压(连续) | ±20 V（第 2 页） |
| 集电极-发射极饱和压降(25 °C) | 典型 2.1 V,最大 2.4 V（第 3 页） |
| 栅极阈值电压 | 最小 6.0 V,典型 6.8 V（第 3 页） |
| 总功耗(25 °C) | 298 W（第 2 页） |
| 工作和存储结温范围 | −55 to 150 °C（第 2 页） |
| 结到壳热阻(IGBT) | 最大 0.42 °C/W（第 3 页） |
| 封装 | TO-247 (TO-247-3LD)（第 1 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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