Fairchild Semiconductor · 分立器件 · TO-220F
FQPF7N80C
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FQPF7N80C 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件（N 沟道功率 MOSFET），封装 TO-220F。24 小时内报价。
基本信息
| 标准型号 | FQPF7N80C |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 类别 | 分立器件 · N 沟道功率 MOSFET |
| 封装 | TO-220F |
官方参数
| 漏源电压 | 800 V（第 2 页） |
|---|---|
| 连续漏极电流 | 6.6 A (limited by maximum junction temperature)（第 2 页） |
| 导通电阻 | 典型 1.57 Ω, 最大 1.9 Ω (VGS = 10 V, ID = 3.3 A)（第 3 页） |
| 栅极阈值电压 | 3.0 V ~ 5.0 V (VDS = VGS, ID = 250 µA)（第 3 页） |
| 栅源电压 | ± 30 V（第 2 页） |
| 总栅极电荷 | 典型 27 nC, 最大 35 nC（第 3 页） |
| 耗散功率 | 56 W（第 2 页） |
| 结到壳热阻 | 2.25 °C/W（第 2 页） |
| 工作和存储温度范围 | -55 to +150 °C（第 2 页） |
| 封装 | TO-220F（第 3 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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