Fairchild Semiconductor · 分立器件 · TO-220F
FQPF3N80C
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FQPF3N80C 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件（N 沟道功率 MOSFET），封装 TO-220F。24 小时内报价。
基本信息
| 标准型号 | FQPF3N80C |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 类别 | 分立器件 · N 沟道功率 MOSFET |
| 封装 | TO-220F |
官方参数
| 漏源电压 | 800 V（第 2 页） |
|---|---|
| 连续漏极电流 | 3* A（第 2 页） |
| 导通电阻 | 典型 4.0 Ω，最大 4.8 Ω（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 3.0 V ~ 5.0 V（第 2 页） |
| 栅源电压 | ±30 V（第 2 页） |
| 总栅极电荷 | 典型 13 nC，最大 16.5 nC（第 3 页） |
| 功耗 | 39 W（第 2 页） |
| 结到壳热阻 | 3.2 °C/W（第 2 页） |
| 工作和存储温度范围 | −55 to +150 °C（第 2 页） |
| 封装 | TO−220 Fullpack (TO−220F−3SG)（第 1 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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