Fairchild Semiconductor · 分立器件 · TO-220F

FQPF13N06L

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FQPF13N06L 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件(N 沟道功率 MOSFET),封装 TO-220F。24 小时内报价。

基本信息

标准型号FQPF13N06L
制造商Fairchild Semiconductor
类别分立器件 · N 沟道功率 MOSFET
封装TO-220F

官方参数

漏源电压60 V(第 2 页)
连续漏极电流10 A(第 2 页)
导通电阻典型 0.088 Ω,最大 0.11 Ω(第 3 页)
栅极阈值电压1.0 V ~ 2.5 V(第 3 页)
栅源电压± 20 V(第 2 页)
总栅极电荷典型 4.8 nC,最大 6.4 nC(第 3 页)
功耗24 W(第 2 页)
工作和存储温度范围-55 to +175 °C(第 2 页)
封装TO-220F(第 3 页)
结到壳热阻最大 6.20 °C/W(第 2 页)

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