Fairchild Semiconductor · 分立器件 · TO-220
FQP9N50C
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FQP9N50C 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件（N 沟道功率 MOSFET），封装 TO-220。24 小时内报价。
基本信息
| 标准型号 | FQP9N50C |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 类别 | 分立器件 · N 沟道功率 MOSFET |
| 封装 | TO-220 |
官方参数
| 漏源电压 | 500 V（第 2 页） |
|---|---|
| 连续漏极电流 | 9 A（第 2 页） |
| 导通电阻（最大） | 800 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.5 A（第 2 页） |
| 栅源电压 | ± 30 V（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 2.0 V ~ 4.0 V（第 3 页） |
| 总栅极电荷 | 典型 28 nC，最大 35 nC（第 3 页） |
| 功耗 | 135 W（第 2 页） |
| 工作和存储温度范围 | -55 to +150 °C（第 2 页） |
| 封装 | TO-220（第 3 页） |
| 结到壳热阻（最大） | 0.93 °C/W（第 2 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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