Fairchild Semiconductor · 分立器件 · D2PAK
FQB33N10
料号 FQB33N10TM
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FQB33N10 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件（N 沟道功率 MOSFET），封装 D2PAK。24 小时内报价。
基本信息
| 标准型号 | FQB33N10 |
|---|---|
| 料号（MPN） | FQB33N10TM |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 类别 | 分立器件 · N 沟道功率 MOSFET |
| 封装 | D2PAK |
官方参数
| 漏源电压 | 100 V（第 2 页） |
|---|---|
| 连续漏极电流 | 33 A（第 2 页） |
| 导通电阻 | 典型 0.040 Ω,最大 0.052 Ω (VGS = 10 V, ID = 16.5 A)（第 3 页） |
| 栅源电压 | ± 25 V（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 2.0 V ~ 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250 µA)（第 3 页） |
| 总栅极电荷 | 典型 38 nC,最大 51 nC（第 3 页） |
| 功耗 | 127 W（第 2 页） |
| 工作和存储温度范围 | -55 to +175 °C（第 2 页） |
| 结到壳热阻 | 最大 1.18 °C/W（第 2 页） |
| 封装 | D2-PAK（第 3 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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