FGL60N100BNTD
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FGL60N100BNTD，Fairchild Semiconductor，资料核对中。24 小时内报价。
基本信息
| 型号 | FGL60N100BNTD |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
官方参数
| 集电极-发射极电压 | 1000 V（第 1 页） |
|---|---|
| 栅极-发射极电压 | ±25 V（第 1 页） |
| 集电极电流(25°C) | 60 A（第 1 页） |
| 集电极电流(100°C) | 42 A（第 1 页） |
| 脉冲集电极电流 | 200 A（第 1 页） |
| 集电极-发射极饱和压降 | 典型 2.5 V，最大 2.9 V（第 2 页） |
| 栅极阈值电压 | 4.0 V ~ 7.0 V，典型 5.0 V（第 2 页） |
| 最大功耗 | 180 W（第 1 页） |
| 工作结温范围 | -55 to +150 °C（第 1 页） |
| 结到壳热阻(IGBT) | 0.69 °C/W（第 1 页） |
| 封装 | TO-264（第 2 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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