Fairchild Semiconductor · 分立器件 · SOT-23
FDN302P
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FDN302P 是 Fairchild Semiconductor 的分立器件（P 沟道 MOSFET），封装 SOT-23。24 小时内报价。
基本信息
| 标准型号 | FDN302P |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 类别 | 分立器件 · P 沟道 MOSFET |
| 封装 | SOT-23 |
官方参数
| 漏源电压 | −20 V（第 1 页） |
|---|---|
| 连续漏极电流 | −2.4 A（第 1 页） |
| 脉冲漏极电流 | −10 A（第 1 页） |
| 导通电阻 (VGS = −4.5 V) | 典型 44 mΩ，最大 55 mΩ (ID = −2.4 A)（第 2 页） |
| 导通电阻 (VGS = −2.5 V) | 典型 64 mΩ，最大 80 mΩ (ID = −2 A)（第 2 页） |
| 栅源电压 | ±12 V（第 1 页） |
| 栅极阈值电压 | 最小 −0.6 V，典型 −1.0 V，最大 −1.5 V（第 2 页） |
| 总栅极电荷 | 典型 9 nC，最大 14 nC（第 2 页） |
| 最大功耗 | 0.5 W (Note 1a)；0.46 W (Note 1b)（第 1 页） |
| 工作结温范围 | −55 to +150 °C（第 1 页） |
| 封装 | SOT−23 (Pb−Free/Halide Free)（第 1 页） |
来源：原厂规格书（括号里是规格书页码） · 原厂规格书 ↗
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